SEMIS 2.0 简介

i数据表

直接数据比较在数字数据表内进行。预选产品在参数水平上快速同时比较。功率损耗矢量或传输函数的图形分析表明了适合您的应用的首选解决方案。  可定制的操作点设置使产品与结温、栅极和换向电压变化更详细地相当。

SEMIS 热

深入的热损失分析揭示了基于可定制参数化的最佳解决方案，具有 40 多种可能的拓扑结构。 结果以数字和图形方式显示，以确定最佳条件。参数扫描可以分析多个模拟，以便进一步优化设置。 从多种控制策略、门电阻调整、死区时间设置和完全可定制的冷却中进行选择，以根据您的特定需求生成模拟。 综合报告指出电源电路中每个设备的损耗和温度数据，从而优化控制设置和产品选择，实现两者的最佳组合。 以图形方式比较多个模拟的结果，以立即指示首选解决方案。

SEMIS 动态

模拟设备瞬态切换行为，以揭示对切换损耗和时序的影响。可定制的操作点设置可优化栅极单元控制和过冲电压，以根据您的要求和产品功能提高整体效率。仿真可估算特定于操作点的开关损耗和定时数据，以便进一步进行门控和电压过冲优化。